2025 年，SK 海力士、三星、美光三家公司推动下，高带宽内存（HBM）芯片月产能达到 54 万颗，同比增长 105%。HBM 是一种适用于高存储器带宽需求的高性能 DRAM，主要应用于 AI 加速卡等场合，可减少半导体功率和面积。目前，SK 海力士和美光为主要供应商，采用 1beta 纳米工艺，三星正在升级工艺以期供货。三家都有扩产计划，三星在升级韩国平泽工厂，SK 海力士在利川市生产 HBM 并升级产线，美光在日本广岛厂生产并计划提升产能。
2025 年，SK 海力士、三星、美光三家公司推动下，高带宽内存（HBM）芯片月产能达到 54 万颗，同比增长 105%。HBM 是一种适用于高存储器带宽需求的高性能 DRAM，主要应用于 AI 加速卡等场合，可减少半导体功率和面积。目前，SK 海力士和美光为主要供应商，采用 1beta 纳米工艺，三星正在升级工艺以期供货。三家都有扩产计划，三星在升级韩国平泽工厂，SK 海力士在利川市生产 HBM 并升级产线，美光在日本广岛厂生产并计划提升产能。